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行业新闻 | 英飞凌再添SiC新产品,锁定1700V市场

发表时间:2020-06-29 12:22:00  来源:野望文存  浏览:次   【】【】【



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碳化硅

英飞凌科技股份有限公司扩充旗下CoolSiC MOSFET系列电压等级,继今年稍早推出的650V产品后,现在更新添具专属沟槽式半导体技术的1700V电压等级产品。


新款1700V表面黏着装置(SMD)产品充分发挥了碳化硅(SiC)强大的物理特性,提供优异的可靠性和低切换及导通损耗。1700V CoolSiC MOSFET适用于三相转换系统的辅助电源供应器,例如:马达、再生能源、充电基础设施及HVDC系统等。


全新1700V CoolSiC沟槽式MOSFET适用于+12 V/0 V闸极源极电压与一般PWM控制器兼容的返驰式拓扑,因此,无需闸极驱动IC,就能直接以返驰式控制器来运作。


这类低功率应用通常在100W以下运作。在这些情况下,设计人员通常偏好采用单端返驰式拓扑。有了SMD封装的1700V CoolSiC MOSFET后,甚至能在输入电压高达1000 VDC的直流连结连接辅助电路启用这种拓扑技术。使用单端返驰式转换器的辅助转换器具高效率和高可靠性,可建置于三相电源转换系统中,进而将尺寸缩到最小并减少物料清单。


英飞凌工业电源控制部门SiC资深协理Peter Friedrichs博士表示:「1700V CoolSiC MOSFET采用沟槽式技术,可完美平衡效能及可靠性。它结合SiC的出色特性:在高压SMD封装中提供精巧尺寸及低损耗,有助于让我们的客户大幅降低其辅助电源供应器的复杂性。」


1700V阻断电压消除了设计上针对过电压余度及电源供应器可靠度的疑虑。CoolSiC沟槽式技术具备此电压等级晶体管的最低装置电容和闸极电荷。


因此,与先进的1500V硅MOSFET相比,其功率耗损减少了50%以上,效率也提升了2.5%。与其他1700V SiC MOSFET相比,其效率提升0.6%。低损耗有助于打造尺寸精巧的SMD封装,以自然对流冷却的方式进行组装,不再需要散热器。

文章来自「GaN世界」,谢谢!


责任编辑:蔡学森