IMEC展示1nm工艺的金属互连新方法-半导体-热点资讯-野望文存-科技 
    欢迎来到野望文存-科技!
当前位置:野望文存-科技 > 热点资讯 > 半导体 >  IMEC展示1nm工艺的金属互连新方法

IMEC展示1nm工艺的金属互连新方法

发表时间:2021-07-22 10:01:00  来源:野望文存  浏览:次   【】【】【

来源:内容来自「Technews」,谢谢。

半导体行业观察
半导体行业观察
最有深度的半导体新媒体,实讯、专业、原创、深度,50万半导体精英关注!专注观察全球半导体最新资讯、技术前沿、发展趋势。《摩尔精英》《中国集成电路》共同出品,欢迎订阅摩尔旗下公众号:摩尔精英MooreElite、摩尔芯闻、摩尔芯球
2166篇原创内容
公众号


比利时微电子研究中心(IMEC)于2021年国际互连技术会议(IITC 2021)时展示1纳米制程技术构建硅晶片过程使金属互连的新方法,解决1纳米制程技术互连发热问题,也显示1纳米制程的最新进展。

外媒报导,IMEC展示採用铝二元化合物实验,重点是电阻率,理想配比状态下的AlCu和Al2Cu薄膜,电阻率低至9.5μΩ*cm。实验结果支持将AlCu和Al2Cu在先进半镶嵌互连整合方案当作新导体的可能性,使它们与气隙结合,提高性能。然而这种组合的焦耳热效应会越来越重要。

将逻辑制程技术线路图缩小到1纳米以下节点,需在后端最关键半导体层引入新导电材料。由于铝和钌(Ru)电阻率低于铜、钴或钼等传统元素金属,可能对1纳米制程节点以下晶片性能有影响。

IMEC也研究AlNi、Al3Sc、AlCu和Al2Cu等铝化物薄膜电阻率,20纳米以上厚度时,所有PVD沉积薄膜都显示出与钼相当或低于钼的电阻率。28纳米AlCu和Al2Cu薄膜则达成9.5μΩ*cm最低电阻率,低于Cu的表现。实验还验证控制薄膜理想状态,防止表面氧化是研究铝化物的挑战。

IMEC设想在先进半镶嵌制程使用这些金属间化合物,需直接蚀刻金属,以获得更高纵横比的线条。IMEC发现在金属线间逐渐引入部分或全部气隙,可改善RC延迟,用电隔离气隙代替传统低k电介质,有望降低按比例缩放的电容。但气隙导热性极差,需格外关注操作条件下的焦耳热效应。


IMEC也透过在局部2层金属互连层校准测量焦耳热,并藉由建模将结果投射到12层后端连线(BEOL)结构,量化难题。研究预测,气隙会使温度升高20%,也发现金属线密度有重要作用,因较高金属密度有助减少焦耳热。

IMEC研究员兼纳米互连专案总监Zsolt Tokei表示,这些发现是改进半镶嵌金属化方案,成为1纳米以下互连选项的关键。IMEC正透过其他选项扩展互连路线图,包括混合金属化和新中线方案,同时也解决与制程技术整合和可靠性相关的挑战。

摩尔芯闻
摩尔芯闻
您的半导体行业内参,每日精选8条全球半导体产业重大新闻解读,一天只花10分钟,享受CEO的定制内容服务。与30万半导体精英一起,订阅您的私家芯闻秘书!欢迎订阅摩尔精英旗下更多公众号:摩尔精英、半导体行业观察、摩尔App
237篇原创内容
公众号

*免责声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点,不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系半导体行业观察。


今天是《半导体行业观察》为您分享的第2743内容,欢迎关注。

推荐阅读



半导体行业观察

半导体第一垂直媒体

实时 专业 原创 深度


识别二维码,回复下方关键词,阅读更多

晶圆|集成电路|设备|汽车芯片|存储|MLCC|英伟达|模拟芯片

回复 投稿,看《如何成为“半导体行业观察”的一员 》

回复 搜索,还能轻松找到其他你感兴趣的文章!

责任编辑:蔡学森